革新的なイオンビーム分析装置

国立大学法人　筑波大学

茨城県つくば市春日１－２　高細精医療イノベーション棟１階

この技術でできること

半導体検出器を活用した高精度な物質分析装置

相談したいこと

技術の特徴

本発明は、物質のサブサーフェース（表面直下の原子数層分の領域）を分析する装置に関するもので、イオンビームを被測定物に照射し、その散乱イオンを分析する装置を提供します。装置には、磁場または電場を印加して散乱イオンの進行方向を変化させる分析部、散乱イオンの軌跡と平行な平面に対して垂直な方向に延在し、進行方向毎に検出可能な複数の検出部を有する位置敏感半導体検出器、および計測器が含まれます。このシステムにより、物質の表面直下の構造や性質を高解像度で分析することが可能となります。

AIによる特許活用案

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この装置は、ナノスケールの物質分析に活用することができます。特に新しいナノテクノロジーマテリアルの開発や特性評価において、精密かつ高速な分析が可能となり、開発の効率化に寄与します。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2015-117985
発明の名称: 分析装置及び分析システム
出願人／権利者: 国立大学法人　筑波大学
住所: 茨城県つくば市春日１－２　高細精医療イノベーション棟１階
公開番号: 特開2017-003442
登録番号: 特許第6692108号

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