次世代電子デバイスの主役、グラフェン層を積層したダイヤモンド基板の製造方法

国立大学法人九州工業大学

福岡県北九州市戸畑区仙水町１番１号

この技術でできること

高品質で低コスト、半導体装置製造に直接利用可能なグラフェン基板の製造方法を提供

相談したいこと

技術の特徴

この特許は、グラフェン層を積層したダイヤモンド基板の製造方法について述べています。この製造方法は、金属層を炭素含有層に接触させ、加熱することで、金属層中に炭素含有層中の炭素を溶解させ、その後、金属層を冷却することで、金属層に接触させた耐熱材料の表面に金属層中の炭素をグラフェンとして析出させます。この方法により、量産性があり、高品質でありながら、低製造コストで半導体装置製造に直接使用可能なグラフェン基板の製造が可能となります。

AIによる特許活用案

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高性能電子デバイスの製造

この特許の製造方法は、高性能な電子デバイスの製造に適用可能です。グラフェンは電子移動度や電子有効質量といった特性において優れているため、次世代の電子デバイスの製造に利用することが期待されます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2015-101455
発明の名称: グラフェン層積層ダイヤモンド基板の製造方法
出願人／権利者: 国立大学法人九州工業大学
住所: 福岡県北九州市戸畑区仙水町１番１号
公開番号: 特開2016-216288
登録番号: 特許第6544624号

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