ダイヤモンドの新しい可能性、単層構造の不純物ドープダイヤモンド

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

この技術でできること

ホウ素やリンなどの不純物を含む単層構造のダイヤモンドで、厚さ、比抵抗、ホール移動度などが調整可能な技術

相談したいこと

技術の特徴

この特許は、ホウ素やリンなどの不純物をドープ（注入）した単層構造のダイヤモンドに関するものです。厚さは0.1μmから1mmの範囲で、また、不純物ドープダイヤモンドの厚みの最大値と最小値との差が、最大値の10%以下であることが求められています。比抵抗は温度25℃において0.5～3mΩcm、ホール移動度は0.1～10cm²/Vsであることが特徴です。また、この不純物ドープダイヤモンドは基板の上に形成され、電子デバイスに利用可能です。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体産業電子機器製造業研究開発業

高性能電子デバイスの開発

不純物ドープダイヤモンドの特性を利用して、高性能の電子デバイスを開発することが可能です。特に、特殊な環境下での利用を考えると、ダイヤモンドの化学的安定性や耐放射線性を活かした新たなデバイス開発が期待できます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2015-098261
発明の名称: 不純物ドープダイヤモンド及びその製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: 特開2016-213409
登録番号: 特許第6635675号

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