革新的な貫通電極とその製造方法

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

この技術でできること

高信頼性の半導体装置製造に貢献する新規な貫通電極とその製造方法

相談したいこと

技術の特徴

本特許では、3次元集積回路に使用される貫通電極とその製造方法、且つ半導体装置の製造方法について述べられています。具体的には、半導体基板に絶縁層を介して形成された貫通電極で、導電性のコア層が特徴となっています。また、この貫通電極を使用する半導体装置やその製造方法についても説明されています。さらに、半導体基板に筒形状の溝部を形成し、溝部に絶縁層を埋め込む工程、絶縁層より内側にスルーホールを形成し、かつ、絶縁層とスルーホールとの間に半導体基板の一部からなる半導体層を形成する工程、そしてスルーホールに導電性材料を埋め込み、コア層を形成する工程を含む貫通電極の製造方法について詳細に述べられています。

AIによる特許活用案

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高品質な半導体装置の製造

本特許の貫通電極とその製造方法は、電子機器の小型化や集積回路の微細化・密度化を追求する半導体業界において、高品質な半導体装置を効率よく製造するための新たな手法を提供します。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2015-096523
発明の名称: 貫通電極及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: 特開2016-213349
登録番号: 特許第6519785号

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