高品質遷移金属シリサイド膜の革新的製造法

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

この技術でできること

高耐熱性、耐酸化性、耐食性、電気伝導特性を有する遷移金属シリサイド膜の製造法を提供します。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、フッ素、塩素、有機物、遷移金属、水素、シリコンを原料ガスとして使用し、これらを特定の温度や特定の波長領域の光の下で化学反応させることにより、電気特性に優れた遷移金属シリサイド膜を製造する方法を提供します。また、化学気相成長を利用して遷移金属シリサイド膜を作製する製造装置についても詳細に説明しています。この製造法は、電極、高温構造物、耐環境用コーティングなどの材料として期待される金属性シリサイドや、発光素子、太陽電池、熱電変換素子等の材料として期待されるシリサイド半導体の製造に適用可能です。特に、シリコンを用いるLSI等のプロセスにマッチングの良い材料として知られています。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体業界電子部品製造業エネルギー業界

ハイエンド半導体の製造

高品質な遷移金属シリサイド膜を用いて、電気特性に優れた高性能な半導体を製造することが可能です。これにより、より高速で大容量のデータ処理が可能となり、AIやデータセンターなどへの応用が期待できます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2015-096023
発明の名称: 遷移金属シリサイド膜、その製造方法及び製造装置並びに半導体装置
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: 特開2016-211038
登録番号: 特許第6503543号

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