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革新的な断熱型量子磁束パラメトロン回路

国立大学法人横浜国立大学

神奈川県横浜市保土ケ谷区常盤台79番1号

この技術でできること

高い性能と効率を実現する超伝導トランスに関する特許

技術の特徴

本特許は、断熱型量子磁束パラメトロン回路に関するもので、一対のトランス部の配置、配線パターンなどを特徴としています。具体的には、トランス部の一次側配線及び二次側配線の配線パターンが、電源線と直交し、線対称であること、また電源線を挟んで反対側において点対称であることなどが特徴となっています。さらに、二次側配線のインダクタンスが一次側配線のインダクタンスよりも大きいこと、一次側配線と二次側配線との対向配置において、二次側配線の配線長が一次側配線の配線長よりも長い、または配線幅が小さいことなども特徴としています。これらの特徴により、高い性能と効率性を実現しています。

関連キーワード

超伝導トランス断熱型量子磁束パラメトロン回路

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参考情報

活用条件

  • サブスクリプション・未選択
  • 権利譲渡・未選択
  • ライセンス契約・未選択
商品化・サービス化
ASK
実証実験
ASK
サンプル・プロトタイプ
ASK

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権利概要

出願番号
特願2015-081036
発明の名称
断熱型量子磁束パラメトロン回路及び超伝導論理素子
出願人/権利者
国立大学法人横浜国立大学
住所
神奈川県横浜市保土ケ谷区常盤台79番1号
公開番号
特開2016-201697
登録番号
特許第6563239号
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