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高効率太陽電池の新たな技術

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園1-1-1 つくば中央第1(産総研内)

この技術でできること

凹型構造と薄膜シリコン層を有する太陽電池

技術の特徴

本技術は、特許文献JP 6573306 B2に基づく、高効率の太陽電池についての新たな開発です。この特許では、太陽電池の一辺の長さあるいは直径の半分以下の深さと1/5~1/2倍の大きさの略平坦底部を有することを特徴とする太陽電池の開発を説明しています。また、この太陽電池は発電層に単層または多層の薄膜シリコン層あるいはその合金層を含み、更に発電層の厚さは0.2~10mの範囲にあることが特徴です。さらに、透明導電層が光入射側に配置され、この透明導電膜は酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫あるいはその合金から成ります。これらの特性により、太陽電池の光電変換効率が大幅に向上します。

関連キーワード

太陽電池シリコン薄膜光電変換効率透明導電層高効率

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参考情報

活用条件

  • サブスクリプション・未選択
  • 権利譲渡・未選択
  • ライセンス契約・未選択
商品化・サービス化
ASK
実証実験
ASK
サンプル・プロトタイプ
ASK

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権利概要

出願番号
特願2015-078363
発明の名称
透明導電膜を有する薄膜太陽電池
出願人/権利者
国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所
茨城県つくば市梅園1-1-1 つくば中央第1(産総研内)
公開番号
特開2016-201388
登録番号
特許第6573306号
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