熱電変換性能を最適化する革新的なTiN薄膜熱電半導体

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

スパッタ成膜条件を制御することでTiN薄膜熱電半導体の配向性や熱電変換性能を最適化する方法を提供します。

相談したいこと

技術の特徴

本発明は、TiN薄膜熱電半導体の製造方法に関するもので、スパッタ成膜条件を制御し、配向性や熱電変換性能指数、出力因子等の特性を最適化する方法を提供します。特に、室素及びアルゴンからなるプロセスガスを使用し、アルゴン分圧比を設定することで、窒化チタン薄膜熱電半導体の結晶配向及び出力因子を制御します。これにより、TiN薄膜半導体の熱電変換性能向上を実現します。また、この方法により製造されたTiN薄膜熱電半導体を使用した熱電発電素子も提供します。この技術は、エネルギー回収と変換の効率化に貢献し、省エネルギー社会の実現に向けた一歩となるでしょう。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2015-060270
発明の名称: 窒化チタン薄膜熱電半導体の製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2016-181571
登録番号: 特許第6474078号

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