革新的なIII族窒化物半導体基板の製造方法

古河機械金属株式会社

東京都千代田区大手町２－６－４

この技術でできること

精密で効率的なIII族窒化物半導体基板の製造方法を提供します。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、III族窒化物半導体基板の製造方法に関するもので、反応性スパッタ工程を有し、XC層の厚さを精密に制御することが特長です。この製造方法では、XC層の上に反応性スパッタXC層を形成し、その厚さは一定の範囲を満たすことが求められます。さらに、XC層形成工程の前に、C膜より厚い所定厚さのベースC膜を形成する工程を含んでいます。ベースC膜の厚さもまた、特定の範囲を満たすことが必要です。この方法により、高品質なIII族窒化物半導体基板を効率的に製造することが可能になります。

AIによる特許活用案

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高性能半導体の製造

本特許の製造方法を用いることで、高性能な半導体を製造することが可能です。特に、電子機器やコンピュータの部品として利用可能です。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2015-053058
発明の名称: ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法
出願人／権利者: 古河機械金属株式会社
住所: 東京都千代田区大手町２－６－４
公開番号: 特開2016-174069
登録番号: 特許第6466216号

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