革新的な半導体基板製造法

古河機械金属株式会社

東京都千代田区大手町２－６－４

この技術でできること

III族窒化物半導体基板の製造法で、表面を高度に平坦化する技術

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、従来とは異なる方法でIII族窒化物半導体基板の表面を平坦化する技術を提供します。具体的には、III族窒化物半導体で構成された基板に対し、III族審化物半導体結晶をエピタキシャル成長させて第2の半導体層を形成します。この成長面は、CMP（Chemical Mechanical Polishing）処理を行わずに、基板の表面よりも高い平坦性を実現します。また、成長速度をコントロールすることで異なる膜組成の3つの膜を積層する技術も含まれています。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造電子部品製造マイクロエレクトロニクス

高品質な半導体基板の製造

この技術を用いることで、表面が高度に平坦化された半導体基板を製造することが可能となります。これにより、製品の品質を向上させることができます。

続きの活用案は会員限定です

無料登録またはログイン後に、公開範囲に応じて確認できます。

参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2015-053197
発明の名称: ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法
出願人／権利者: 古河機械金属株式会社
住所: 東京都千代田区大手町２－６－４
公開番号: 特開2016-172659
登録番号: 特許第6499481号

登録情報の修正申請