革新的な低消費電力トランジスタ技術

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

この特許は、消費電力を大幅に低減できるトンネル電界効果トランジスタの製造方法について説明しています。

相談したいこと

技術の特徴

この特許では、トンネル電界効果トランジスタ（TFET）の製造方法について詳細に説明されています。TFETはその低消費電力化が重要な課題となっており、消費電力を極めて低くできるトランジスタとして注目されています。特に、本特許ではソース領域と第1チャネル領域の接合領域において、ソース領域からドレイン領域に電子流を流すことが特徴となっています。これにより、電子の移動が効率化され、消費電力の低減が可能となります。また、この特許では、トンネル電界効果トランジスタの製造方法だけではなく、その活用方法や他の特許との比較、背景技術についても説明されています。これにより、トンネル電界効果トランジスタをより効果的に使用するための知識と理解を深めることができます。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体産業エネルギー産業電子機器製造業

低消費電力デバイスの開発

トンネル電界効果トランジスタを用いることで、スマートフォンやパソコンなどの電子デバイスの消費電力を大幅に削減し、バッテリー寿命を延ばすことが可能となります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2015-050089
発明の名称: トンネル電界効果トランジスタ及びその使用方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2016-171216
登録番号: 特許第6429688号

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