超低抵抗率銅配線を活用した半導体集積回路装置

国立大学法人茨城大学

茨城県日立市中成沢町４－１２－１

この技術でできること

高性能半導体集積回路装置の製造方法、特に、不純物の混入を抑えた超低抵抗率の銅配線の形成方法を提供します。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、半導体集積回路装置に使用される銅配線の形成方法について提案します。超低抵抗率の銅配線は、半導体集積回路装置の高集積化、高密度化、高速化を実現します。本特許では、不純物の濃度を特定の範囲内に制約することで、銅配線の電気抵抗率を低下させ、EM耐性を向上させる方法を提供します。具体的には、セレンの濃度を0.25ppm以下、亜鉛の濃度を21ppm以下に保つことで、銅配線の性能を最適化します。また、不純物が銅の結晶粒の成長を阻害しないように、特定のプロセスで電気メッキ及び熱処理を行うことを特徴とします。これにより、配線溝内の銅配線に不純物が入らないようにし、結晶性を向上させ、超低抵抗率銅配線を有する半導体集積回路装置を提供します。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造電子部品製造電気機器製造

高性能半導体の製造

本特許を活用することで、高速動作を確保し、配線の微細化に伴う電気抵抗率の増大を抑えた高性能な半導体を製造することが可能となります。

続きの活用案は会員限定です

無料登録またはログイン後に、公開範囲に応じて確認できます。

参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2015-183828
発明の名称: 超低抵抗率銅配線を有する半導体集積回路装置
出願人／権利者: 国立大学法人茨城大学
住所: 茨城県日立市中成沢町４－１２－１
公開番号: 特開2016-164965
登録番号: 特許第6683987号

登録情報の修正申請