高周波デバイス向け新技術、「磁性体装置」

公立大学法人大阪

大阪府堺市中区学園町１番２号

この技術でできること

磁性体装置を用いた高周波デバイスの開発により、THz ギャップと呼ばれる電磁場領域をカバーする新しい方法を提供します。

相談したいこと

技術の特徴

この磁性体装置は、キラルらせん磁気秩序を示す磁性体を含む磁性体部と、キラルらせん磁気秩序のソリトンの伝播を制限する複数の制限手段を備えています。磁性体部は、2つの制限手段によりキラルらせん磁気秩序にソリトンが閉じ込められた複数の第1領域を有し、複数の第1領域は、キラルらせん磁気秩序に閉じ込められたソリトンの数が実質的に同じであることが特徴です。これにより、特定の周波数で磁気共鳴を発生させ、電磁波を発振・増幅することが可能となります。さらに、制限手段の位置により第1ソリトン閉じ込め領域の幅を変えることができ、周波数を変えることができます。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 電子機器製造業通信業研究開発

高周波電磁波の発振・増幅デバイスの開発

この磁性体装置を用いて、サブGHzから数十THzまでの電磁波を発振・増幅する新しいデバイスを開発することができます。これにより、従来難しかった高周波数帯域の電磁波の発振・増幅が可能となり、新しい電子デバイスの開発につながります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2015-039016
発明の名称: 磁性体装置及び高周波デバイス
出願人／権利者: 公立大学法人大阪
住所: 大阪府堺市中区学園町１番２号
公開番号: 特開2016-162845
登録番号: 特許第6444769号

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