革新的なクラスレート製造法の開拓

国立大学法人東海国立大学機構

愛知県名古屋市千種区不老町1番

この技術でできること

IV族元素をホスト原子としたクラスレートを効率よく製造する方法を開発。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、ゲルマニウムやシリコンなどのIV族元素をホスト原子としたクラスレートの製造法に関するものである。クラスレートはホスト原子によって形成される三次元的な籠状の構造の中にゲスト原子が内包されている化合物で、従来の結晶構造物とは異なる特性を持つ。本特許の製造法は、ホスト原子とは異なる材料の基板上に均質な膜状のクラスレートを効率よく製造することが可能である。これにより、従来のクラスレートの製造方法の問題点を解決し、さまざまなデバイスに対応可能なクラスレートを提供することが可能となる。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体業界ナノテクノロジー材料科学

高純度クラスレートの製造

本特許の技術を用いて、高純度のクラスレートを効率的に製造することが可能となる。これにより、半導体としての利便性を高め、さまざまな電子デバイスの製造に活用することが可能となる。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2015-033515
発明の名称: ＩＶ族クラスレートの製造方法
出願人／権利者: 国立大学法人東海国立大学機構
住所: 愛知県名古屋市千種区不老町1番
公開番号: 特開2016-156041
登録番号: 特許第6465397号

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