革新的な半導体素子の製造を実現する特許

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

高品質な単結晶を製造する方法とそれを用いた半導体素子に関する特許

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、ハライド気相成長法によって基板上に単結晶を成長させる技術を提供します。この方法は、特定の元素を含有する原料を使用し、特定の温度範囲で成長させることで、品質の高い単結晶を製造します。また、本特許は、製造した単結晶を用いた半導体素子の製造方法も提供します。この半導体素子は、発光素子、ダイオード、紫外線検出素子、トランジスタなどとして利用することができます。さらに、基板の除去やスライスなどの後処理工程も含まれています。この特許により、高品質な単結晶とそれを用いた半導体素子の製造が効率的に可能となります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体産業電子部品製造業電気・電子機器製造業

ハイエンドな半導体素子の製造

この特許を活用し、高品質な半導体素子を製造することができます。特に、発光素子、ダイオード、紫外線検出素子、トランジスタなどの製造に利用することが可能です。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2015-035140
発明の名称: α－Ｇａ２Ｏ３単結晶、α－Ｇａ２Ｏ３の製造方法、および、それを用いた半導体素子
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2016-155714
登録番号: 特許第6422159号

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