革新的なIV族クラスレート製造法

国立大学法人東海国立大学機構

愛知県名古屋市千種区不老町1番

この技術でできること

IV族元素を主成分とした均質な膜状のクラスレートを効率よく製造する方法です。

相談したいこと

技術の特徴

本発明は、ホスト原子にゲダルマニウムやシリコンなどのIV族元素を用いたクラスレートの製造方法に関します。この技術は、ゲスト原子を収容した開口部を有する容器と、IV族元素のホスト原子からなる基板を反応容器内に配置し、不活性ガスの雰囲気下で一定の温度と時間で加熱することで、均質な膜状のクラスレートを効率よく製造します。この方法は、シリコンクラスレートやゲルマニウムクラスレートの製造において特に有用であり、これらのクラスレートは半導体、光吸収材料などとしての重要な応用が期待されています。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造業太陽電池製造業化学製品製造業

高効率な半導体製造

本発明は、シリコンクラスレートの製造における効率と品質を向上させることで、半導体産業への貢献が期待されます。特に、バンドギャップ特性を持つシリコンクラスレートは高品質な半導体としての利用が可能です。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2015-033516
発明の名称: ＩＶ族クラスレートの製造方法
出願人／権利者: 国立大学法人東海国立大学機構
住所: 愛知県名古屋市千種区不老町1番
公開番号: 特開2016-155698
登録番号: 特許第6432032号

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