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革新的な半導体-金属複合材料の製造技術

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園1-1-1 つくば中央第1(産総研内)

この技術でできること

不純物ドープ単結晶ダイヤモンドと金属材料を組み合わせた半導体-金属複合材料の製造方法を提供します。

技術の特徴

本特許は、不純物(ホウ素やリン)をドープした単結晶ダイヤモンドと金属材料とがオーミック接触した半導体-金属複合材料の製造方法を提供します。この製造方法では、まず、金属元素により構成されたフィラメントと基板が配置された真空容器中に、炭素源及び不純物源を含むキャリアガスを導入します。次に、キャリアガスをフィラメントで加熱し、不純物ドープ単結晶ダイヤモンドを基板の上に製膜します。その後、不純物ドープ単結晶ダイヤモンドの上に金属材料を積層します。この製造方法により、半導体と金属材料との接触抵抗値を大幅に低減することが可能で、高性能な電子デバイスの製造に活用することができます。

関連キーワード

半導体金属複合材料不純物ドープ単結晶ダイヤモンド電子デバイス

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高性能な電子デバイスの製造

本特許の半導体-金属複合材料の製造方法は、接触抵抗値を大幅に低減することが可能なため、高性能な電子デバイスの製造に活用できます。

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参考情報

活用条件

  • サブスクリプション・未選択
  • 権利譲渡・未選択
  • ライセンス契約・未選択
商品化・サービス化
ASK
実証実験
ASK
サンプル・プロトタイプ
ASK

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権利概要

出願番号
特願2015-030450
発明の名称
半導体-金属複合材料及びその製造方法
出願人/権利者
国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所
茨城県つくば市梅園1-1-1 つくば中央第1(産総研内)
公開番号
特開2016-152380
登録番号
特許第6466197号
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