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テラヘルツ波の新世界

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園1-1-1 つくば中央第1(産総研内)

この技術でできること

グラフェンナノリボンを活用した革新的なテラヘルツアンテナ

技術の特徴

本特許は、光伝導半導体をアンテナ形状にし、そのアンテナにテラヘルツの周波数で変調する電流を流すことでテラヘルツ還射場の発振を実現したテラヘルツアンテナに関するものです。具体的には、光伝導を示す半導体上に設けられたグラフェンナノリボン膜を通して紫外線レーザーを照射し、膜により紫外線強度がテラヘルツの周波数で変調されることにより強絞変調された電流を半導体中に流すとテラヘルツ波が発振します。この特許の活用により、テラヘルツ波の発振に必要となる精密な加工や複雑な構造のデバイスを簡素化でき、さらにテラヘルツ波の応用範囲を広げることが可能となります。

関連キーワード

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高精度なテラヘルツ波発生デバイスの開発

この特許を利用して開発されたテラヘルツ波発生デバイスは、テラヘルツ波の発振そのものに適したデバイスの研究を進めるために非常に有用です。特に、精密な加工が要求される超電導材料を用いたものや、複数のアンテナ構造を用いたものなど、テラヘルツ波の発振に関連するデバイスの製造を簡素化することが可能です。

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参考情報

活用条件

  • サブスクリプション・未選択
  • 権利譲渡・未選択
  • ライセンス契約・未選択
商品化・サービス化
ASK
実証実験
ASK
サンプル・プロトタイプ
ASK

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権利概要

出願番号
特願2015-024271
発明の名称
テラヘルツ発振素子
出願人/権利者
国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所
茨城県つくば市梅園1-1-1 つくば中央第1(産総研内)
公開番号
特開2016-149398
登録番号
特許第6554641号
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