革新的なテルル化ビスマス薄膜製造法

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

マグネトロン・スパッタリング法を用いたp型及びn型の両方のテルル化ビスマス薄膜の製造方法

相談したいこと

技術の特徴

本発明では、マグネトロン・スパッタリング法により単一のターゲットを使用して基板上にテルル化ビスマス(Bi.Te.)薄膜を製造する方法を提案します。特に、薄膜中のテルルの組成が50原子%以下の場合、スパッタリング電力を変えることで、p型とn型の両方のBi.Te.薄膜を作製することが可能です。これにより、異なる電気特性を持つ薄膜の製造が可能となり、微小熱電デバイスの開発や、効率的な熱電変換デバイスの製造に対する新たな可能性を開きます。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体産業電子機器製造再生可能エネルギー

微小熱電デバイスの開発

この製造法を用いることで、効率的な微小熱電デバイスの開発が可能となります。特に、p型とn型の両方のBi.Te.薄膜を作製できることから、デバイスの性能を最適化するための柔軟性が増します。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2015-018256
発明の名称: テルル化ビスマス薄膜製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2016-143758
登録番号: 特許第6504597号

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