革新的な半導体製造装置と方法

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

この技術でできること

低温焼成による高品質な酸化物半導体の製造

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、半導体の製造において、処理台を加熱するヒーター、水蒸気を供給する装置、そして温度を制御する機構を有する半導体製造装置に関するものです。また、基材上に形成された酸化物半導体前駆体薄膜を利用して酸化物半導体を製造する方法も含まれています。この方法では、相対湿度80%以上の環境下で、被処理体を100〜200℃の温度に維持しながら、酸化物半導体前駆体薄膜に紫外光を照射する照射工程と、照射工程で得られた被処理体を200〜300℃の温度に維持しながら焼成する焼成工程が行われます。これにより、低温加熱プロセスを可能にし、半導体製造における性能のバラつきを抑制することが可能となります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体産業電子工学化学工業

半導体製造プロセスの改良

この技術を用いることで、半導体の製造プロセスの改良が可能となります。低温の環境で半導体を製造することで、エネルギー効率を上げ、生産コストを削減することが可能になります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2015-010985
発明の名称: 半導体製造装置および半導体製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: 特開2016-136565
登録番号: 特許第6449026号

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