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高感度・高解像度を可能にする固体撮像素子の製造方法

日本放送協会

この技術でできること

原子拡散接合処理を活用した固体撮像素子の製造方法で、光電変換層にMoやS iを使用し、CIGS膜の成膜に3段階成長方式を採用する技術。

技術の特徴

本特許は、CMOSからなる固体撮像素子の製造方法を提供します。撮像素子の接合処理に原子拡散接合処理を用い、光電変換層には少なくとも一部にMoが配された層、またはS i層上に成膜します。さらに、光電変換層を構成するCIGS膜は、多元蒸着法と3段階成長方式を用いて成膜されます。この3段階成長方式では、成膜の進行程度に伴い、第1段階は相対的に低温、第2段階は相対的に高温、第3段階は相対的に低温と温度制御されます。また、半導体基板の上方にはCIGSからなる変換層、N型とP型の半導体層、透明電極、ガラス板などが積層されます。この技術により、高解像度化に伴う受光感度低下の問題を解決し、さらなる高感度化を実現します。

関連キーワード

固体撮像素子光電変換層CIGS膜3段階成長方式高感度化

AIによる特許活用案

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高感度撮像素子の製造

この技術を用いて、受光感度が高い固体撮像素子を製造します。これにより、暗い環境でも高品質な映像を撮影することが可能になります。

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参考情報

活用条件

  • サブスクリプション・未選択
  • 権利譲渡・未選択
  • ライセンス契約・未選択
商品化・サービス化
ASK
実証実験
ASK
サンプル・プロトタイプ
ASK

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権利概要

出願番号
特願2015-009940
発明の名称
固体撮像素子およびその製造方法
出願人/権利者
日本放送協会
公開番号
特開2016-134576
登録番号
特許第6465665号
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