高性能な抵抗変化型メモリの新たな製造法

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

抵抗変化型素子の製造方法を提供する特許、ALD法を用いた堆積と金属酸化物の選択が特徴。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、高性能で低コストな抵抗変化型メモリ（ReRAM）の製造方法を提供します。抵抗変化型メモリは電圧を印可することにより上下電極間の絶縁膜の抵抗変化を利用したメモリで、高性能化、高信頼性、低コスト化の観点から注目されています。本特許では、ALD法による堆積を用い、その際にトリメチルアルミニウムを使用します。また、金属酸化物の選択にも工夫があり、チタン、タンタル、ニオビウム、ジルコニウム、ハフニウムからなる群から選択された少なくとも一つを含むものを使用します。これにより、制御性と効率性を向上させています。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体業界電子機器製造業コンピュータハードウェア業界

抵抗変化型メモリの製造効率化

本特許の製造法は、ReRAMの製造効率を大幅に向上させる可能性があります。ALD法による堆積を用いることで、製造過程が簡素化され、生産性が向上します。また、金属酸化物の選択により、メモリの性能を最適化することが可能です。

続きの活用案は会員限定です

無料登録またはログイン後に、公開範囲に応じて確認できます。

参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2015-005464
発明の名称: 抵抗変化型素子の製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2016-131216
登録番号: 特許第6544555号

登録情報の修正申請