高速・高効率データ記憶技術の革新：磁気メモリー素子

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

この技術でできること

磁気メモリー素子の効率的な読み出し・書き込み方法とその応用

相談したいこと

技術の特徴

本発明は、磁気メモリー素子の効率的な読み出し・書き込み方法に関するもので、主にデータ記憶技術における革新を提供します。磁化方向可変層、原子が層状に配列している層状物質であるグラフェン又は二硫化金属化合物、絶縁層、磁化方向固定相、そして電極から成る磁気メモリー素子の構造を活用します。特に、絶縁層とグラフェン又は二硫化金属化合物からなる層をトンネルする電流に対する抵抗値の読み出しを行うことで、メモリー素子の読み出しを効率的に行います。また、磁化方向可変層へのスピンをもった電流の注入やパルス状の電圧印加とその調整により、スピン方向の制御を行うことで、メモリー素子への書き込みも容易になります。これらの技術は、データの高速・高効率な記憶・読み出しを可能にし、次世代の高性能メモリー技術への道を開くでしょう。

AIによる特許活用案

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高性能メモリーデバイスの開発

本技術を活用して、高速・高効率なデータ記憶と読み出しが可能な磁気メモリー素子を搭載したメモリーデバイスを開発することで、データ処理速度の向上やエネルギー消費の削減が期待できます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2015-003554
発明の名称: 記憶装置及びその製法
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: 特開2016-129206
登録番号: 特許第6643609号

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