高品質な不揮発性メモリ素子を実現する技術

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

この技術でできること

不揮発性メモリ素子の性能を向上させるための新しい製造手法を提案する特許技術

相談したいこと

技術の特徴

この特許技術は、不揮発性メモリ素子の製造において、高品質で高性能な結果を実現する新しい製造手法を提案します。具体的には、シリコン基板の上に蛍石型構造のバッファー層（YSZ）を堆積し、その上に複合バッファー層としてまず岩塩型構造の酸化ストロンチウムを堆積し、ついでベロブスカイト型チタン酸酸化物を堆積することにより、高平坦性（平均荒さ0.3nm以下）、完全[001]配向、高結晶性、かつ一定の格子定数を有する高品質のベロブスカイト酸化物の薄膜積層構造を形成できます。これにより、強誘電体をバリア層として用いたトンネル接合構造において、非常に高い平坦性を有するバリア層・電極界面を実現し、高性能の不揮発メモリ動作を提供することができます。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 電子部品製造業半導体製造業情報技術業

高品質な不揮発性メモリ素子の製造

この特許技術は、不揮発性メモリ素子の製造プロセスを改善し、高品質な製品を生産するための手法を提供します。これにより、製品の信頼性と耐久性を向上させ、顧客満足度を高めることができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2015-001745
発明の名称: 不揮発性メモリ素子
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: 特開2016-127209
登録番号: 特許第6479480号

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