高度な半導体製造技術を用いた次世代デバイスの開発

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

この技術でできること

特許JP 6425985 B2は、半導体装置の製造方法について述べており、特にウェル形成工程やイオン注入工程にフォーカスしています。

相談したいこと

技術の特徴

本特許では、深さ範囲内に形成された半導体装置の製造方法を提供しています。その主要な構成要素は、第1導電型の基板上に形成される高濃度のウェルと、それを囲むリング状の第2導電型のウェルです。これらのウェルは基板よりも高濃度で、ウェル形成工程を経て表層に形成されます。さらに、マスクを通して露光した後に現像し、それに応じた所定位置にレジストを配置します。その後、第1のイオン注入工程を経て第2導電型のディープウェルを形成するか、または基板のよりも深層位置に高濃度の第3ウェルの濃度領域を形成します。以上の工程を経ることで、半導体装置の高度な制御が可能となり、より高い性能の半導体装置が得られます。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体産業電子機器製造業テクノロジー開発業界

高性能半導体の製造

この特許技術を用いて、現行の半導体製造技術を超えた高性能な半導体装置を製造することができます。これにより、より高速でエネルギー効率の良い電子機器を製造することが可能になります。

続きの活用案は会員限定です

無料登録またはログイン後に、公開範囲に応じて確認できます。

参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2014-245260
発明の名称: 半導体装置及びその製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: 特開2016-111096
登録番号: 特許第6425985号

登録情報の修正申請