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高精度・高性能電子源の新時代

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現1-2-1

この技術でできること

高光度電子源の開癞における革新的な技術を提供する特許

技術の特徴

この特許は、電子光学装置に使用される電子源に関するもので、特に放出される電子線の光軸からの偏差を防止した電子源について説明しています。具体的には、一次元ナノ構造体、特に六ホウ化ランタンナノワイヤやナノチューブを用いた電子源の開発について述べています。これらのナノ構造体は、導電性先端部材の材料との間の化学反応を抑制するバリア層を介して導電性先端部材に取り付けられます。また、先端部材は、収束イオンビーム加工により形成されます。この技術は、安定した電子放出特性とエネルギーの広がりが小さいことから、電磁レンズによる電子ビームの収束が容易になり、分解能を上げることが可能となります。

関連キーワード

電子源ナノ構造体電子光学装置六ホウ化ランタン高光度電子源

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高精度電子ビームリソグラフィー装置の開発

高光度の電子源を必要とする電子ビームリソグラフィー装置の開発にこの特許を活用できます。特に、微細なパターンを描くための高精度な電子ビームを生成する能力が求められます。

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参考情報

活用条件

  • サブスクリプション・未選択
  • 権利譲渡・未選択
  • ライセンス契約・未選択
商品化・サービス化
ASK
実証実験
ASK
サンプル・プロトタイプ
ASK

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権利概要

出願番号
特願2014-244963
発明の名称
電子源
出願人/権利者
国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所
茨城県つくば市千現1-2-1
公開番号
特開2016-110748
登録番号
特許第6369987号
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