革新的な半導体層製造技術で内部量子効率を最大化

古河機械金属株式会社

東京都千代田区大手町２－６－４

この技術でできること

LEDやLD等のデバイスの性能向上を目指す半導体層の製造方法

相談したいこと

技術の特徴

本発明は、半導体の内部量子効率を向上させる新たな製造方法を提供します。具体的には、In、Ga、Nで構成される単結晶半導体層の製造方法を含む積層構造体の製造方法で、不純物としてCがドーピングされた状態で、一定の格子定数を持つ特定の単結晶半導体層を形成します。これにより、LEDやLD等のデバイスにおける内部量子効率の向上が期待できます。また、この技術は、自立基板の製造方法や積層構造体の製造方法にも適用可能で、半導体製造技術全般に対する大きな進歩をもたらします。

AIによる特許活用案

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高性能LEDの製造

本発明の半導体層の製造方法を用いることで、内部量子効率が向上したLEDを製造することが可能です。これにより、より明るく、省エネルギーな照明デバイスの開発が期待できます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2014-230448
発明の名称: 単結晶半導体層、自立基板及び積層構造体の製造方法
出願人／権利者: 古河機械金属株式会社
住所: 東京都千代田区大手町２－６－４
公開番号: 特開2016-094309
登録番号: 特許第6530905号

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