ガリウム不要！高性能薄膜トランジスタの新時代

日本放送協会

この技術でできること

ガリウムを含まない酸化物半導体層を活用した、高い移動度を有する薄膜トランジスタおよびその製造方法

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、ガリウムを含まない酸化物半導体層を有し、高い移動度を持つ薄膜トランジスタ及びその製造方法に関わるものです。従来、薄膜トランジスタの駆動回路には、ガリウムを含む酸化物半導体層が用いられていました。しかし、ガリウムは産出量が限られており、その代替素材が求められていました。本特許では、ガリウムを含まない酸化インジウムタングステン亜鉛を酸化物半導体層に用いることで、ガリウム不使用でありながら高い電子の移動速度を実現しています。これにより、より効率的で持続可能な薄膜トランジスタの製造が可能となります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 電子部品製造業ディスプレイ製造業半導体製造業

ガリウム不使用の高性能ディスプレイの開発

本特許を活用して、ガリウムを含まない酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタを使用することで、高品質なディスプレイの製造が可能となります。そのため、コストや環境負荷を抑えつつ、高性能なディスプレイを市場に提供することができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2014-215355
発明の名称: 薄膜トランジスタおよびその製造方法
出願人／権利者: 日本放送協会
公開番号: 特開2016-082198
登録番号: 特許第6501385号

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