高品質半導体の新たな製造法

古河機械金属株式会社

東京都千代田区大手町２－６－４

この技術でできること

自立基板の製造方法に関する特許で、不純物濃度を低減し、デバイス性能を向上させる技術を提供します。

相談したいこと

技術の特徴

この特許は、III族窒化物半導体からなる層と、その層の中に存在し、前記層の露出面におけるビット埋込領域を有する自立基板の製造方法に関するものです。具体的には、まず下地基板の上にIII族窒化物半導体からなる積層膜を形成します。次に、その積層膜の上にさらにIII族窒化物半導体層を形成します。最後に、下地基板を除去して、III族窒化物半導体層を含む自立基板を得ます。この方法では、積層構造の成長過程で成長を一時停止し、再び成長させることで、不純物の取り込みを抑制し、品質の高い自立基板を製造します。これにより、自立基板の上に形成する光デバイスや電子デバイスの性能を向上させることが可能となります。

AIによる特許活用案

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高品質半導体の製造

この特許の技術を活用し、高品質の半導体を製造することが可能です。特に、光デバイスや電子デバイスの性能を向上させるための半導体素材として活用することができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2014-204524
発明の名称: 自立基板、及び、自立基板の製造方法
出願人／権利者: 古河機械金属株式会社
住所: 東京都千代田区大手町２－６－４
公開番号: 特開2016-074549
登録番号: 特許第6497886号

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