革新的なシリコン加工技術で太陽電池の効率を最大化

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

オゾン処理によりシリコン表面の欠陥を低温で不活性化し、太陽電池の変換効率を向上させる方法を提供

相談したいこと

技術の特徴

この特許は、シリコンの表面パッシベーション（欠陥の不活性化）を行う新たな方法について説明しています。具体的には、シリコン表面の欠陥をオゾン処理により低温で不活性化する方法を提供します。この方法を使用すると、太陽電池の変換効率が向上します。また、この特許は太陽電池の製造工程にも応用可能で、シリコン表面のパッシベーション処理が施された後、それを用いて太陽電池を製造する工程を含みます。さらに、この方法はシリコン結晶の表面処理だけでなく、ナノ構造への応用も可能で、表面積の格段に増大したナノ構造における新しい表面パッシベーション技術の開発を可能にします。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 太陽電池製造業半導体製造業ナノテクノロジー業界

太陽電池の効率向上

シリコン表面のパッシベーション処理により、太陽電池の変換効率を向上させることができます。これにより、エネルギーの無駄を大幅に削減し、コスト効率の良い太陽電池の製造が可能になります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2014-198340
発明の名称: シリコン表面パッシベーション方法、表面パッシベーション処理されたシリコンの製造方法、及び、太陽電池の製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2016-072351
登録番号: 特許第6415918号

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