希土類なしで高性能を実現する熱電半導体

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

スクッテルダイト熱電半導体の製造方法とその半導体について

相談したいこと

技術の特徴

本発明は、希土類を含まない高性能なスクッテルダイト熱電半導体の製造方法及びそれを用いた熱電発電素子に関するものです。特に、原子籠状構造への二生ドーピングによって、希土類なしで高い熱電性能を実現した熱電半導体について述べています。製造方法としては、Co源、Sb源、Si源及びTe源を混合した原料混合物を準備し、焼成するステップが含まれます。焼成は真空または不活性雰囲気中で特定の温度範囲で行い、その後の工程として粉砕や再度焼成、アニーリング等が含まれます。この特許は、希土類元素を含まないで素子を形成することが求められる現代社会において、注目すべき内容を提供しています。

AIによる特許活用案

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エネルギー効率の高い製品の開発

本特許のスクッテルダイト熱電半導体は、エネルギー変換効率が高く、希土類を必要としないため、エネルギー効率の高い製品の開発に利用することができます。特に、発電機や冷却装置などに応用可能です。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2015-184746
発明の名称: ケイ素及びテルルをドープしたスクッテルダイト熱電変半導体、その製造方法及びそれを用いた熱電発電素子
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2016-066795
登録番号: 特許第6635581号

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