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高性能なヒ素イオン検出のための金ナノ粒子含有カーボン薄膜電極

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園1-1-1 つくば中央第1(産総研内)

この技術でできること

本発明は、ヒ素イオンの電気化学的な検出法に関するもので、金ナノ粒子含有のカーボン薄膜電極を用いることで、高感度かつ簡便にヒ素イオンを検出することが可能です。

技術の特徴

本発明は、水質、土壌、作業環境、食品などの分析、調査においてヒ素イオンを高感度で検出するための電極とその製造方法を提供します。電極は金ナノ粒子含有のカーボン薄膜で構成され、その粒径は7nm以下です。この電極を使用した装置は、ヒ素イオンの濃度を電気化学的に測定します。電極の製造方法は、スパッタリング法により基板上に金ナノ粒子含有のカーボン薄膜電極を成膜させる工程を含みます。この工程では、カーボンターゲットと金ターゲットのターゲットパワーを独立して制御し、金ナノ粒子の含有量を制御します。

関連キーワード

電気化学的検出ヒ素イオンカーボン薄膜電極金ナノ粒子スパッタリング法

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参考情報

活用条件

  • サブスクリプション・未選択
  • 権利譲渡・未選択
  • ライセンス契約・未選択
商品化・サービス化
ASK
実証実験
ASK
サンプル・プロトタイプ
ASK

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権利概要

出願番号
特願2014-195454
発明の名称
電気化学測定用の金ナノ粒子含有カーボン薄膜電極及び当該電極を用いたヒ素イオンの電気化学検出法
出願人/権利者
国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所
茨城県つくば市梅園1-1-1 つくば中央第1(産総研内)
公開番号
特開2016-065815
登録番号
特許第6433740号
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