革新的な半導体装置とその製造方法

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

この技術でできること

結晶シリコン太陽電池などの半導体装置の製造方法と、その半導体装置を提供する特許。

相談したいこと

技術の特徴

本発明は、n型シリコン層と銅電極との間に銅拡散バリア層が設けられた半導体装置とその製造方法に関する。具体的には、シリコン窒化物層に開口部を形成し、その開口部内に銅拡散バリア層を同時に形成する結晶シリコン太陽電池などの半導体装置の製造方法を提供。シリコン窒化物層に対してエッチング剤を塗布し、加熱することで開口部と銅拡散バリア層を形成する。この方法により、銅電極とn型シリコン層との間で銅がn型シリコンに拡散するのを防止することができる。

AIによる特許活用案

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銅拡散バリア層を設けることで、銅のn型シリコンへの拡散を防止し、太陽電池の効率を向上させることができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2014-189901
発明の名称: 半導体装置とその製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: 特開2016-063069
登録番号: 特許第6359394号

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