「次世代の電子デバイス開発へ、微細加工された有機半導体トランジスタ」

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

「有機半導体トランジスタとその製造方法に関する特許です。従来の製造技術に困難を感じていた有機半導体トランジスタの微細加工技術を提供します。」

相談したいこと

技術の特徴

「本特許は、ソース電極とドレイン電極の間に複数の思部が設けられた有機半導体トランジスタに関するものです。また、ソース電極とドレイン電極の少なくとも一方が複数設けられ、それらが複数の凹部中に収容されています。製造方法としては、ゲート電極が設けられた基板上に絶縁体膜を形成し、この絶縁体膜に凹部を形成します。その後、絶縁体膜上に有機半導体膜を形成し、ソース電極及びドレイン電極を互いに離間して形成します。この特許により、有機半導体トランジスタの微細加工技術が可能となり、従来の製造技術で困難だった問題を解決します。」

AIによる特許活用案

おすすめ業界 「電子工業半導体製造ナノテクノロジー」

「次世代の電子デバイス開発」

「この特許の技術は、高度な電子デバイスの開発に利用することができます。有機半導体トランジスタの微細加工は、デバイスの高速化や省エネ化に寄与します。」

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2014-189603
発明の名称: 有機半導体トランジスタ及びその製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2016-063059
登録番号: 特許第6452126号

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