超伝導集積回路装置に革新！バイアス電流の供給と引き抜きを効率化

国立大学法人横浜国立大学

神奈川県横浜市保土ケ谷区常盤台７９番１号

この技術でできること

本特許は、バイアス電流の供給・引き抜きに特化した超伝導集積回路装置について述べています。

相談したいこと

技術の特徴

本特許の超伝導集積回路装置は、バイアス電流の供給・引き抜きに焦点を当てています。従来の超伝導集積回路装置とは異なり、バイアス電流の引き抜きを最適化する独特の設計が提案されています。具体的には、バイアス電流引き抜きパッドが積層方向に重なる位置で配置され、バイアス電流を引き抜いた後、ボンディング配線を介して導出します。また、バイアス電流引き抜きパッドとバイアス電流供給パッドは、グランド面と重ならない位置に配置され、さらに、バイアス電流供給パッドとバイアス電流引き抜きパッドは、グランド面の辺に沿って平面方向に対向して配置されます。これにより、バイアス電流の供給・引き抜きが効率化され、超伝導集積回路の性能向上に寄与します。

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高速・低消費電力のプロセッサの開発

本特許の超伝導集積回路装置は、高速で低消費電力のプロセッサの開発に活用できます。バイアス電流の供給・引き抜きの効率化により、プロセッサの動作速度を向上させるとともに、消費電力を低減することが可能です。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2014-181355
発明の名称: 超伝導集積回路装置
出願人／権利者: 国立大学法人横浜国立大学
住所: 神奈川県横浜市保土ケ谷区常盤台７９番１号
公開番号: 特開2016-058441
登録番号: 特許第6396726号

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