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光電変換効率を改善した次世代太陽電池

国立大学法人電気通信大学

東京都調布市調布ケ丘1丁目5−1

この技術でできること

高効率・安価な太陽電池の実現を目指し、n型ロッドの表面欠陥を低減した新型太陽電池の開発。

技術の特徴

この特許では、環境問題やエネルギー資源問題への対策として開発された新型の太陽電池について述べられています。特に、pnへテロ接合型の太陽電池において、電荷のトラップや電荷損失の問題を解決し、光電変換効率を向上させる技術が提案されています。具体的には、ZnO、In2O3、またはSnO2製のn型ロッド、TiO2、YO2、Al2O3、ZnS、またはSiO2製の被覆層、そしてPbS、PbSe、またはCuInS2製のp型量子ドット層を含む構造が提案され、被覆層の厚さは10nm以下とされています。これにより、表面欠陥を低減し、開放電圧を得ることが可能になり、より効率的な太陽電池の製造が可能となります。

関連キーワード

太陽電池光電変換効率エネルギー資源環境問題量子ドット

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参考情報

活用条件

  • サブスクリプション・未選択
  • 権利譲渡・未選択
  • ライセンス契約・未選択
商品化・サービス化
ASK
実証実験
ASK
サンプル・プロトタイプ
ASK

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権利概要

出願番号
特願2014-175843
発明の名称
太陽電池
出願人/権利者
国立大学法人電気通信大学
住所
東京都調布市調布ケ丘1丁目5−1
公開番号
特開2016-051785
登録番号
特許第6455915号
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