ダイヤモンド単結晶の新世代製造技術

国立大学法人電気通信大学

東京都調布市調布ケ丘１丁目５−１

この技術でできること

高品質の大面積ダイヤモンド単結晶を製造する画期的な方法

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、ダイヤモンドの単結晶製造技術について述べたものです。この製造方法では、得られた単結晶ダイヤモンドは面積が20xm*以上、厚さが10ヵnm以上であり、ラマン散乱スペクトルにおける1332cmのピークの半値幅が6cm以下となります。これにより、熱膨張係数の異なる材料の基板を用いた場合でも、悪影響を生じることなく大面積且つ高品質の単結晶ダイヤモンドを製造することが可能となります。また、製造された単結晶ダイヤモンドは、同一基板上に複数配置し、それぞれ選択的に成長及び一体化させることが可能です。これにより、高品質なダイヤモンド基板の製造が可能となります。この技術は、半導体デバイスなどの製造における新たな可能性を秘めています。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体産業電子機器製造宝飾品業界

高性能な半導体デバイスの製造

この技術を用いることで、大面積且つ高品質の単結晶ダイヤモンドを製造することが可能となります。これにより、ダイヤモンドを基材とした高性能な半導体デバイスの製造が可能となります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2014-175926
発明の名称: 単結晶ダイヤモンドの製造方法、単結晶ダイヤモンド、単結晶ダイヤモンド基板の製造方法、単結晶ダイヤモンド基板及び半導体デバイス
出願人／権利者: 国立大学法人電気通信大学
住所: 東京都調布市調布ケ丘１丁目５−１
公開番号: 特開2016-050139
登録番号: 特許第6636239号

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