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革新的なシリコン系ナノ構造材料の製造技術

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現1-2-1

この技術でできること

金属基板上に形成されたシリコン系ナノ構造材料及びその製造方法について述べた特許です。

技術の特徴

本特許は、特定の金属基板上でシリコン系のナノ構造材料を形成する独自の製造方法を提供します。特許では、シリコンナノ粒子の集合体の成長中にドーパントの化合物のガスを添加し、不純物ドーピングを行う方法が詳述されています。また、特許では、ゲルマニウムと人金属元素を含むシリコンナノ粒子の集合体と、シリコン及び人金属元素を含むゲルマニウムナノワイヤからなるゲルマニウムナノ構造体を有するシリコンナノ構造体の製造も説明されています。これにより、新しい型のシリコン系ナノ構造材料が可能になります。

関連キーワード

ナノテクノロジーシリコンナノ構造材料ドーピングゲルマニウム

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ナノスケールの半導体製造

本特許の製造方法は、新たな半導体の製造に使用できます。特に、ナノスケールの半導体製造において、シリコンとゲルマニウムの組み合わせは新しい可能性を開くことができます。

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参考情報

活用条件

  • サブスクリプション・未選択
  • 権利譲渡・未選択
  • ライセンス契約・未選択
商品化・サービス化
ASK
実証実験
ASK
サンプル・プロトタイプ
ASK

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権利概要

出願番号
特願2014-173124
発明の名称
シリコン(Si)系ナノ構造材料及びその製造方法
出願人/権利者
国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所
茨城県つくば市千現1-2-1
公開番号
特開2016-047785
登録番号
特許第6367652号
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