未来のプラズモンデバイス製造への道筋 - 新たなリフトオフ法の導入

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

リフトオフ法を用いて超微細2次元パターンアレイを形成し、プラズモンデバイスの製造を実現する特許技術

相談したいこと

技術の特徴

本特許では、電子デバイスや光デバイスの微細なパターンを形成するリフトオフ法と呼ばれる技術を用いて、超微細2次元パターンアレイの作製方法を提案しています。特に、層がA1, O, HIO, SiO, MgF, SiN, TiO, ZnO, ITO, TaO, Si, Ge, Au, Ag, Cu, A1, またはWの和群から選択される一つ以上の材料からなることを特徴としています。また、前記レジスト層の一部を覆い、露出部を完全に覆う付着層を形成する工程も含まれます。さらに、レジスト除去液を水又は水溶液で置換する際に、最初に表面張力の小さい溶液で置換してから、徐々に表面張力の大きい溶液に置換する工程も特徴としています。この特許技術は、プラズモンデバイスの製造における重要な進歩をもたらします。

AIによる特許活用案

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プラズモンデバイスの製造

この特許技術を利用することで、プラズモンデバイスの製造が可能となります。特に、超微細な2次元パターンアレイを形成する能力は、デバイスの性能を大幅に向上させます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2014-170264
発明の名称: リフトオフ法、超微細２次元パターンアレイ及びプラズモンデバイスの製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2016-046408
登録番号: 特許第6341539号

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