革新的なエッチング技術で電子部品製造の効率を高める

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

この技術でできること

シリコン窒化膜用のエッチング剤とその使用方法を特徴とする電子部品と太陽電池の製造方法

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、エッチング剤とその使用方法に関するもので、電子部品と結晶シリコン太陽電池の製造方法を提供します。特に、シリコン窒化膜用のエッチング剤とその使用方法に焦点を当てています。このエッチング剤はリン酸と金属体を含み、ガラス成分を含まないもので、その金属体はAg若しくはCuの単金属又は合金粉、Agで被覆されたCu又Cu合金粉から選択されます。このエッチング剤を用いてエッチングすることで、エッチング部に導体膜又は半導体膜を形成することができます。これにより、エッチング後に接触抵抗が低減した導体膜や半導体膜を形成することが可能となり、電子部品や太陽電池の製造効率が向上します。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体産業電子部品製造業太陽電池製造業

電子部品製造の効率化

本特許の技術を活用することで、電子部品製造の工程におけるエッチングと導体膜形成が効率的に行えます。これにより、生産効率の向上とコスト削減が期待できます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2014-137683
発明の名称: シリコン窒化膜用エッチング剤、エッチング方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: 特開2016-015444
登録番号: 特許第6425927号

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