革新的なダイヤモンド半導体製造に！プラズマCVD装置

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

ダイヤモンド半導体の製造におけるリンの高効率導入を可能にするプラズマCVD装置。

相談したいこと

技術の特徴

この特許は、ダイヤモンド半導体の製造においてリンの高効率導入を可能にするプラズマCVD装置に関するものです。従来の方法では、リンのような不純物をダイヤモンドにドープすることが困難だったが、この新たなプラズマCVD装置を用いることで、原料ガス中のリンをダイヤモンド膜内に高効率で導入することが可能になりました。具体的には、プラズマキャビティ内のガスの流れに着目し、基板を配置するフランジであって、プラズマキャビティの下部に配置するものに、フランジ平面視中心の基板配置領域をなるべく密接して取り囲むようにリング状のガス排出領域を形成し、ガス排出領域において複数の平面視円形状の孔部を形成することにより、プラズマキャビティ上部から基板に向けて噴出されたガスが、基板表面にあたってから、孔部から、速やかにプラズマキャビティ外部へ排出され、基板上にダイヤモンドが成膜されるときに、原料ガス内のリンが効率よく膜内に取り込まれます。これにより、ダイヤモンド半導体の製造効率と品質が大きく向上します。

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高効率なダイヤモンド半導体の製造

このプラズマCVD装置を用いることで、ダイヤモンド半導体の製造においてリンの高効率導入が可能となり、製造効率と品質を大きく向上させることができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2014-137415
発明の名称: プラズマキャビティ用フランジ、プラズマキャビティ及びプラズマＣＶＤ装置
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2016-015429
登録番号: 特許第6341565号

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