高効率熱電変換を実現する半導体素子

東京都公立大学法人

東京都八王子市南大沢１－１

この技術でできること

p型とn型を制御可能な新たな半導体素子とその製造方法

相談したいこと

技術の特徴

本発明は、ドーピングの制御が容易で効果が高く、p型とn型の半導体素子の製造が可能な半導体素子の製造方法を提供します。特に、イオン液体がN, N, N-Trimethyl-N-propylammonium bis(trifluoromethanesulfony1)imide、又はN,N-Diethyl-N-methyl-N- (2-methoxyethyl) ammonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imideであることを特徴とします。また、製造された半導体素子は、薄膜状の素子前駆体と、その一表面に陰イオン種及び陽イオン種が吸着されて形成されたイオン層からなります。この発明により、高性能な熱電変換素子の開発が可能となります。

AIによる特許活用案

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高効率熱電変換素子の開発

本発明により、高効率な熱電変換素子の開発が可能となります。これにより、排熱の有効活用やエネルギー問題の解決に貢献します。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2014-135553
発明の名称: 半導体素子の製造方法、半導体素子、及び該半導体素子を用いてなる熱電変換素子
出願人／権利者: 東京都公立大学法人
住所: 東京都八王子市南大沢１－１
公開番号: 特開2016-015361
登録番号: 特許第6619130号

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