真空の新次元超高真空作成装置

国立研究開発法人情報通信研究機構

東京都小金井市貫井北町４－２－１

この技術でできること

イオンポンプ、加熱非蒸発型ゲッターポンプ、サブリメーションポンプを積層配置することで最適な排気特性を提供する超高真空作成装置。

相談したいこと

技術の特徴

本発明は、任意に積層配置することで最適な排気特性を提供する超高真空作成装置です。具体的には、イオンポンプ、加熱非蒸発型ゲッターポンプ、及びサブリメーションポンプを一つのイオンポンプに応じて積層して構成します。これにより排気特性を用途に応じて最適化することが可能となります。超高真空技術は、ナノテクノロジーや超精密計測技術の著しい発展に伴い、重要視されており、本発明はこれらの領域での応用が期待されます。特に、半導体表面の汚染防止や荷電粒子ビーム装置の分解能向上などの課題に対応するための装置として活用可能です。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造ナノテクノロジー精密計測

半導体製造プロセスの最適化

半導体表面は気体分子により汚染されやすいため、超高真空状態を維持することでクリーンな半導体表面を保持することが必要です。本発明を用いることで、その排気特性を用途に応じて調整し、半導体製造プロセスを最適化することが可能になります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2014-134301
発明の名称: 積層型超高真空作成装置
出願人／権利者: 国立研究開発法人情報通信研究機構
住所: 東京都小金井市貫井北町４－２－１
公開番号: 特開2016-012501
登録番号: 特許第6327974号

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