革新的な半導体製造装置の清浄化方法

大陽日酸株式会社

東京都品川区小山１－３－２６

この技術でできること

本特許は、半導体製造装置の構成部材の清浄化方法を提供します。この方法は、一酸化炭素と反応させることで微量の金属成分を効率よく除去し、部材を傷つけずに清浄化します。

相談したいこと

技術の特徴

本特許の清浄化方法は、半導体製造装置の構成部材の表面に付着した微量の金属成分を、一酸化炭素と反応させて金属カルボニルとして除去します。これにより、部材へのダメージを与えることなく、効率的に金属成分を除去することが可能となります。また、部材の清浄化は、半導体製造装置から部材を取り出し、別に設けられた清浄化処理装置で行います。このプロセスは、温度が60-100℃の範囲、圧力が25-101kPaの範囲で行われます。さらに、部材の材質は、グラファイト、炭化珪素、炭化珪素被覆グラファイト、石英のいずれかであることが特徴です。この革新的な清浄化方法により、操作性の向上や省エネルギー化も図ることが可能です。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体産業清掃業製造業

半導体製造装置のメンテナンスサービス

本特許の清浄化方法を用いて、半導体製造装置の定期的なメンテナンスサービスを提供する。これにより、装置の性能を維持し、生産効率を向上させることが可能となる。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2014-126508
発明の名称: 半導体製造装置構成部材の清浄化方法
出願人／権利者: 大陽日酸株式会社
住所: 東京都品川区小山１－３－２６
公開番号: 特開2016-004982
登録番号: 特許第6339423号

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