革新的な3次元半導体装置の新時代

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

この技術でできること

積層式半導体チップを活用した効率的な放熱と電気接続を可能にする3次元半導体装置とその製造方法

相談したいこと

技術の特徴

本発明は、3次元集積回路に使用される半導体装置とその製造方法に関するものです。具体的には、複数の半導体チップを積層して電気的に接続することで、配線の長さを短縮し、集積回路の密度を向上させることを可能にします。さらに、この装置は半導体チップからの熱を効率良く放熱するための特殊な流路を備えています。流路は半導体チップの発熱部位に対応するように形成され、冷媒が導入されることで発熱部位からの熱を効率的に外部へ放熱します。これにより、半導体チップの熱問題を解決し、集積回路の性能を向上させることができます。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体産業電子部品製造業情報通信業

高性能プロセッサの開発

本発明を活用することで、発熱を効率的に制御しながら高度に集積された3次元半導体チップを用いた高性能プロセッサを開発することが可能になります。これにより、コンピューターやスマートフォンなどの性能向上に寄与します。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2014-119886
発明の名称: 半導体装置、インターポーザ及びその製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: 特開2015-233099
登録番号: 特許第6430153号

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