高精度レーザーエッチング技術

国立研究開発法人理化学研究所

埼玉県和光市広沢２番１号

この技術でできること

レーザー光を使った精密な加工対象物の除去技術

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、レーザー光のパルスを使用して加工対象物の内部に位置づけられる除去ターゲットパスの一部または全部に重なるよう位置合わせする技術に関するものです。レーザー光は、ベッセルビームと呼ばれる特定の形状に変換され、除去ターゲットパスに照射されます。このプロセスには、補助液が使用され、この液体はレーザー光を受けると加工対象物のエッチングを助ける作用があります。この位置合わせステップは、ベッセルビームパルスが加工対象物の内部を通り、ビームのピーク範囲が補助液に到達するように計画されています。この技術は、補助液がベッセルビームパルスを受けて加工対象物のエッチングを助けるように作用し、高精度な除去加工を可能にします。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2014-113554
発明の名称: 半導体基材における除去加工装置およびその方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人理化学研究所
住所: 埼玉県和光市広沢２番１号
公開番号: 特開2015-226922
登録番号: 特許第6355194号

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