革新的な自立基板の製造方法

古河機械金属株式会社

東京都千代田区大手町２－６－４

この技術でできること

III族窒化物半導体からなる自立基板の製造方法を提供します。

相談したいこと

技術の特徴

この特許では、III族窒化物半導体からなる自立基板の製造方法について詳述しています。この方法は、まず第1の面に凸部を有する下地基板を準備します。次に、この第1の面を薬液によりエッチングする前処理工程を行います。その後、前処理工程の後に第1の面上に窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる成長工程を行います。この方法は、特に下地基板上に形成されたIII族窒化物半導体層が顕著に凹状に反ってしまう問題を解決します。また、この方法は、フラットな下地基板、すなわち外観上に反りがいない下地基板上にIII族窒化物半導体層を形成することも可能です。この革新的な製造方法により、より高品質な自立基板の製造が可能となります。

AIによる特許活用案

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高品質な半導体製品の製造

この特許の製造方法を用いて、より高品質な自立基板を製造することが可能です。これにより、半導体製品の性能を向上させ、市場での競争力を強化することが可能になります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2014-106140
発明の名称: 自立基板の製造方法
出願人／権利者: 古河機械金属株式会社
住所: 東京都千代田区大手町２－６－４
公開番号: 特開2015-221731
登録番号: 特許第6334259号

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