高速で信頼性の高い電子デバイスの製造

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

導電性ポリマーと金属の複合体を用いたTSV充填方法

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、導電性ポリマーと金属の複合体を用いた新たなTSV（スルーシリコンビア）充填方法を提案しています。この複合体はピロールの酸化重合と銀イオンもしくはシリコン元素析出により形成され、UV照射による光利用反応を使ってその成長速度を大きくします。この方法は短時間で充填作業が可能となり、かつ導電性が高く、柔軟でコストパフォーマンスに優れています。しかし、銀のナノ粒子がシリコン基板に拡散すると信頼性に問題が生じるため、SiOxやSiNxなどの障壁層を用いて防止します。

AIによる特許活用案

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高速な電子デバイスの生産

本特許の技術を活用することで、電子デバイスの生産速度を大幅に向上させることが可能になります。これにより、大量生産が必要な電子機器製造業界において、生産効率の向上とコスト削減に貢献します。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2014-102210
発明の名称: 銀拡散障壁材料、銀拡散障壁、銀拡散障壁被覆
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2015-220310
登録番号: 特許第6188025号

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