高効率半導体量子ドットとその革新的製法

国立研究開発法人情報通信研究機構

東京都小金井市貫井北町４－２－１

この技術でできること

本特許は、歪補正層を有する半導体量子ドットと、その製造方法について述べています。

相談したいこと

技術の特徴

概要は、基板上に埋め込み層を形成し、その埋め込み層に量子ドットを形成する製造方法を説明しています。特に、埋め込み層の形成工程は、第1結晶層と第2結晶層を、基板と格子整合がとられた超格子となるように形成する工程を含んでいます。また、基板はInP基板であり、第1結晶層はInGaAs結晶層、第2結晶層はInAlAs結晶層であることが特徴です。これにより、量子ドットの発光波長及び発光効率を制御でき、高品質な半導体量子ドットの製造が可能になります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体工業光通信業電子部品製造業

高効率半導体量子ドットの製造

本特許の製法に従い、半導体量子ドットを高効率に製造することができます。特に、発光効率と発光波長を制御した半導体量子ドットの製造が可能になります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2014-096322
発明の名称: 半導体量子ドット及びその製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人情報通信研究機構
住所: 東京都小金井市貫井北町４－２－１
公開番号: 特開2015-216144
登録番号: 特許第6362402号

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