低反発で高品質な自立基板の製造

古河機械金属株式会社

東京都千代田区大手町２－６－４

この技術でできること

炭素の濃度を調節し、格子定数を最適化することで、反りを低減した自立基板の製造方法を提供

相談したいこと

技術の特徴

本特許では、ウルツ鉱型結晶構造を有する窒化物半導体からなる基板上に、同じくウルツ鉱型結晶構造を有する窒化物半導体からなる層を形成する方法について説明しています。特に、基板とその上の層の間の格子定数の差と、炭素の濃度を調節することで、自立基板の反りを低減することを可能としています。また、この方法によって製造された自立基板は、基板自身の炭素濃度よりも層の炭素濃度が高く、その結果、高品質で安定した自立基板を製造することが可能となります。この技術は、半導体デバイスの製造における基板の品質向上とコスト削減に寄与する可能性があります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造業電子部品製造業研究開発

高品質な半導体デバイスの製造

本技術を用いることで、自立基板の反りを低減し、その結果、半導体デバイスの品質を向上させることが可能となります。また、製造工程の簡素化により生産コストも削減できるでしょう。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2014-097745
発明の名称: 自立基板の製造方法及び自立基板
出願人／権利者: 古河機械金属株式会社
住所: 東京都千代田区大手町２－６－４
公開番号: 特開2015-214447
登録番号: 特許第6342703号

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